杭州科技信息设计(历史突破杭电获得首个主持的千万级国家重点研发计划项目)

↑图为微电子研究中心开发成功的我国第一颗固态硬盘控制器芯片的显微照片，在4mm*4mm的微小硅片上，集成了六个微处理器（CPU）和上亿个晶体管。

近日，国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项2018年度项目立项名单公示结束，杭州电子科技大学微电子研究中心主任骆建军教授主持的“新型嵌入式阻变存储器（RRAM）研究”项目获得立项。这是杭电历史上第一个主持承担的千万级国家重点研发项目。

国家重点研发计划由原来的国家重点基础研究发展计划（973计划）、国家高技术研究发展计划（863计划）、国家科技支撑计划、国际科技合作与交流专项、产业技术研究与开发基金和公益性行业科研专项等整合而成，是针对事关国计民生的重大社会公益性研究，以及事关产业核心竞争力、整体自主创新能力和国家安全的战略性、基础性、前瞻性重大科学问题、重大共性关键技术和产品，为国民经济和社会发展主要领域提供持续性的支撑和引领。本项目预算近4000万元，获得1700余万中央财政经费支持，计划基于过去研发成果基础上，在数据存储的核心硬科技即“芯片”方面取得重大突破。

“新型嵌入式阻变存储器（RRAM）研究”由杭电微电子研究中心骆建军教授团队牵头组织，中科院微电子所积极支持，联合了杭电产学研合作基地杭州华澜微电子有限公司、中电58所、西安电子科技大学、复旦大学、无锡中微高科电子有限公司、无锡中微腾芯电子有限公司共同参与攻关，拟在新型半导体存储器件--阻变存储器（RRAM）方面取得突破性的进展，并打通从实验室到产业化的关键环节，实现产业化应用。当前，嵌入式处理器（CPU）普遍使用NOR FLASH（或型闪存）作为存放程序代码和数据的仓库，但是工艺进步到40nm（纳米）、28nm甚至14nm以下的情况下，FLASH无法兼顾和CPU逻辑电路工艺兼容而且可靠的进一步缩小尺寸，全世界都在研究新型的存储器件，阻变存储器（RRAM）就是其中的一种。RRAM是利用了特种材料的电阻记忆特性来实现数据的保存，国外已经开始工业化批量生产的尝试，而国内还在实验室阶段。

杭电微电子研究中心在片上系统芯片（SOC）、算法等方面有丰富经验，本项目就是要组织全国几家特色单位，深入实验室阶段的成果，研发出可靠、可重复利用的知识产权（IP）核，并通过摸索半导体工艺、应用各种算法、封装测试技术来提高稳定性、可靠性，从而把我国新型储存器RRAM技术推进到国际前沿水平。

骆建军教授主持该项目，也因此成为我校首个领衔主持千万级国家重点项目的教师，代表着我校科研实力的提升。微电子研究中心团队是杭电第一个浙江省领军型创新团队，设计并产业化我国第一颗固态硬盘（SSD）集成电路控制器芯片，获得浙江省科技进步一等奖。该中心的开创者、我国著名半导体专家邓先灿教授对此很高兴，她说：“集成电路芯片是电子信息系统的心脏；存储器芯片好比是数据的仓库，存储控制器芯片是仓库的看门人；我们正在努力，打造中国芯，实现一个梦想：把中国人的信息存放在中国人自己的硬盘中。”

邓教授的弟子遍布全球，提到在本校耕耘的骆建军教授，她感到更为骄傲的是：“骆建军有太多第一，比如，他是杭电第一个、也是迄今为止唯一一个提前一年毕业的硕士研究生，他是我们杭电自己培养的第一个博士。更重要的是，我相信他还会给我们更多的第一。”